SSM6J511NU,LF
制造商: TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 P 通道 12 V 14A（Ta） 6-UDFNB（2x2）
物料参数
| FET 类型: | P 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 12 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 14A（Ta） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 9.1 毫欧 @ 4A，8V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 1V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 47 nC @ 4.5 V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 3350 pF @ 6 V |
| FET 功能: | - |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 等级: | - |
| 资质: | - |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | 6-UDFNB（2x2） |
| 封装/外壳: | 6-WDFN 祼焊盘 |